Разработка заказных интегральных схем
Дизайн-центр НИИ МЭС выполняет полный спектр работ по разработке заказных интегральных схем, начиная от проектирования принципиальной электрической схемы и топологии и заканчивая монтажом изготовленного кристалла в корпус и проведением испытаний.
В дизайн-центре имеется доступ к следующим тех. процессам отечественных и зарубежных фабрик:
| Топологические нормы | TSMC | UMC | X-FAB | IHP |
| 0,35 мкм | CMOS, HV | |||
| 0,25 мкм | CMOS, SiGe, HBT, RF, EPIC | |||
| 0,18 мкм | CMOS, RF | CMOS, RF, EFLASH, OPTO |
CMOS, HV, SOI, OPTO | |
| 0,13 мкм | CMOS, RF | CMOS, RF |
RF, SOI, CMOS | CMOS, SiGe, HBT, RF |
| 0,11 мкм | CMOS, RF | |||
| 90 нм | CMOS, RF | |||
| 65 нм | CMOS, RF | CMOS, RF | ||
| 40 нм | CMOS, RF | CMOS |
||
| 28 нм | CMOS, RF | CMOS |
Благодаря кооперации с зарубежными дизайн-центрами ASIC мы имеем возможность изготавливать прототипы интегральных схем по низким ценам и малыми количествами, что очень выгодно на этапе разработки и отладки серийного кристалла. Минимальная площадь заказа от 1 мм2. При этом поставляется 40-50 кристаллов, что в большинстве случаев достаточно для проведения полного объема испытаний и отладки кристалла.
При успешном завершении опытно-конструкторских работ мы сопровождаем серийное производство Ваших интегральных схем.