Монолитная интегральная схема однокаскадного трансимпедансного усилителя диапазона DC-35 ГГц на основе 250 нм SiGe Би КМОП технологии
Авторы: Коколов А.А., Коряковцев А.С., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии.
Функционально ИМС является широкополосным трансимпедансным усилителем (ТИУ) с диапазоном частот до 35 ГГц. ТИУ содержит один усилительных каскада, цепь обратной связи, эмиттерный повторитель и корректирующие цепи. ИМС предназначена для использования в составе радиофотонных приемных модулей.
Технические характеристики: диапазон частот DC-35 ГГц; коэффициент усиления 14±1 дБ, коэффициент трансимпедансного усиления 50±2 дБΩ; коэффициент отражения по входу -9…-22 дБ; коэффициент отражения по выходу -5…-14,5 дБ; коэффициент шума не более 6,8 дБ; уровень выходной мощности по P1дБ не менее -8,3 дБм; напряжение питания +2,5 В; ток потребления 9 мА. Размеры кристалла 0,47×0,48 мм2.
Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы № 2021630178 от 08.12.2021.
Заявка № 2021630174 от 01.12.2021
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является четырехканальным приемником с длиной волны 1550нм и диапазоном частот радиотракта до 30 ГГц. Приёмник содержит входную и выходную дифракционные решётки, волновод, четыре фильтра предназначенных для разделения каналов в системе с волновым мультиплексированием, а также один дополнительный канал, используемый для контроля мощности входного излучения. ИМС предназначена для применения в качестве приемных модулей в составе аналоговых и цифровых оптоволоконных трактов с волновым уплотнением каналов.
Технические характеристики: диапазон частот радиосигнала DC-30 ГГц; каждый канальный фильтр обладает периодической передаточной функцией с периодом 1,2 ТГц и полосой 250 ГГц, расстояние между соседними каналами в пределах одного периода передаточной функции составляет 300 ГГц; уровень напряжение для подачи смещения +2 В. Размеры кристалла 1,43×1,84 мм^2.
Топология ИМС создана при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ. Уникальный идентификатор работы 8.4029.2017/4.6.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии.
Функционально ИМС является широкополосным трансимпедансным усилителем (ТИУ) с диапазоном частот до 35 ГГц. ТИУ содержит один усилительных каскада, цепь обратной связи, эмиттерный повторитель и корректирующие цепи. ИМС предназначена для использования в составе радиофотонных приемных модулей.
Технические характеристики: диапазон частот DC-35 ГГц; коэффициент усиления 14±1 дБ, коэффициент трансимпедансного усиления 50±2 дБΩ; коэффициент отражения по входу -9…-22 дБ; коэффициент отражения по выходу -5…-14,5 дБ; коэффициент шума не более 6,8 дБ; уровень выходной мощности по P1дБ не менее -8,3 дБм; напряжение питания +2,5 В; ток потребления 9 мА. Размеры кристалла 0,47×0,48 мм2.
Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы № 2021630178 от 08.12.2021.
Заявка № 2021630174 от 01.12.2021
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является четырехканальным приемником с длиной волны 1550нм и диапазоном частот радиотракта до 30 ГГц. Приёмник содержит входную и выходную дифракционные решётки, волновод, четыре фильтра предназначенных для разделения каналов в системе с волновым мультиплексированием, а также один дополнительный канал, используемый для контроля мощности входного излучения. ИМС предназначена для применения в качестве приемных модулей в составе аналоговых и цифровых оптоволоконных трактов с волновым уплотнением каналов.
Технические характеристики: диапазон частот радиосигнала DC-30 ГГц; каждый канальный фильтр обладает периодической передаточной функцией с периодом 1,2 ТГц и полосой 250 ГГц, расстояние между соседними каналами в пределах одного периода передаточной функции составляет 300 ГГц; уровень напряжение для подачи смещения +2 В. Размеры кристалла 1,43×1,84 мм^2.
Топология ИМС создана при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ. Уникальный идентификатор работы 8.4029.2017/4.6.
Монолитная интегральная схема однокаскадного буферного усилителя X-диапазона на основе 130-нм КМОП технологии
Авторы: Коряковцев А.С., Коколов А.А., Помазанов А.В., Шутов Е.А., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И.
ИМС представляет собой монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,13 мкм КМОП технологии.
Функционально ИМС является буферным усилителем, работающим в диапазоне частот 8-12 ГГц. Усилитель содержит один усилительный каскад на основе каскадного соединения транзисторов, цепь параллельной обратной связи и корректирующе-согласующие цепи. ИМС предназначена для использования в составе приемо-передающих модулей Х-диапазона.
Технические характеристики: диапазон частот 8-12 ГГц; коэффициент усиления 10±0,1 дБ, коэффициент отражения по входу -10…-11 дБ; коэффициент отражения по выходу не менее -11…-15 дБ; уровень выходной мощности по P1дБ не менее 12 мВт; коэффициент шума не более 4,6 дБ; напряжение питания +3 В; ток потребления 35 мА. Размеры кристалла 0,8×0,65 мм2.
Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы № 2021630179 от 08.12.2021.
Заявка № 2021630175 от 01.12.2021г.
ИМС представляет собой монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,13 мкм КМОП технологии.
Функционально ИМС является буферным усилителем, работающим в диапазоне частот 8-12 ГГц. Усилитель содержит один усилительный каскад на основе каскадного соединения транзисторов, цепь параллельной обратной связи и корректирующе-согласующие цепи. ИМС предназначена для использования в составе приемо-передающих модулей Х-диапазона.
Технические характеристики: диапазон частот 8-12 ГГц; коэффициент усиления 10±0,1 дБ, коэффициент отражения по входу -10…-11 дБ; коэффициент отражения по выходу не менее -11…-15 дБ; уровень выходной мощности по P1дБ не менее 12 мВт; коэффициент шума не более 4,6 дБ; напряжение питания +3 В; ток потребления 35 мА. Размеры кристалла 0,8×0,65 мм2.
Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы № 2021630179 от 08.12.2021.
Заявка № 2021630175 от 01.12.2021г.
Монолитная интегральная схема 4-канального DWDM демультиплексора
Конкин Д.А., Коколов А.А., Шеерман Ф.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630212 от 12.11.2019.
Заявка № 2019630191 от 04.10.2019.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является четырехканальным приемником с длиной волны 1550нм и диапазоном частот радиотракта до 30 ГГц. Приёмник содержит входную и выходную дифракционные решётки, волновод, четыре фильтра предназначенных для разделения каналов в системе с волновым мультиплексированием, а также один дополнительный канал, используемый для контроля мощности входного излучения. ИМС предназначена для применения в качестве приемных модулей в составе аналоговых и цифровых оптоволоконных трактов с волновым уплотнением каналов.
Технические характеристики: диапазон частот радиосигнала DC-30 ГГц; каждый канальный фильтр обладает периодической передаточной функцией с периодом 1,2 ТГц и полосой 250 ГГц, расстояние между соседними каналами в пределах одного периода передаточной функции составляет 300 ГГц; уровень напряжение для подачи смещения +2 В. Размеры кристалла 1,43×1,84 мм^2.
Топология ИМС создана при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ. Уникальный идентификатор работы 8.4029.2017/4.6.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630212 от 12.11.2019.
Заявка № 2019630191 от 04.10.2019.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является четырехканальным приемником с длиной волны 1550нм и диапазоном частот радиотракта до 30 ГГц. Приёмник содержит входную и выходную дифракционные решётки, волновод, четыре фильтра предназначенных для разделения каналов в системе с волновым мультиплексированием, а также один дополнительный канал, используемый для контроля мощности входного излучения. ИМС предназначена для применения в качестве приемных модулей в составе аналоговых и цифровых оптоволоконных трактов с волновым уплотнением каналов.
Технические характеристики: диапазон частот радиосигнала DC-30 ГГц; каждый канальный фильтр обладает периодической передаточной функцией с периодом 1,2 ТГц и полосой 250 ГГц, расстояние между соседними каналами в пределах одного периода передаточной функции составляет 300 ГГц; уровень напряжение для подачи смещения +2 В. Размеры кристалла 1,43×1,84 мм^2.
Топология ИМС создана при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ. Уникальный идентификатор работы 8.4029.2017/4.6.
Монолитная интегральная схема SIGE BICMOS векторного фазовращателя Х-диапазона с интегрированными корректирующими ЦАП
Конкин Д.А., Коколов А.А., Шеерман Ф.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630213 от 12.11.2019.
Заявка № 2019630189 от 04.10.2019.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является векторным фазовращателем, работающим в диапазоне частот 8-12 ГГц. Векторный фазовращатель содержит автивный симметрирующий трансформатор, формирующий дифференциальный сигнал, а также полифазный фильтр, формирующий квадратурные сигналы, аналоговый дифференциальный сумматор, ЦАП и драйвер управления. ИМС предназначена для использования в составе приемо-передающих модулей Х-диапазона.
Технические характеристики: диапазон частот 8-12 ГГц; разрядность 6 бит; диапазон перестройки фазы 360 градусов; коэффициент передачи 5±1 дБ, коэффициент отражения по входу не менее -15 дБ; коэффициент отражения по выходу не менее -10 дБ; фазовая ошибка не более 1 град. Размеры кристалла 1,45×0,98 мм^2.
Топология ИМС создана при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ. Уникальный идентификатор работы 8.3423.2017/4.6.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630213 от 12.11.2019.
Заявка № 2019630189 от 04.10.2019.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является векторным фазовращателем, работающим в диапазоне частот 8-12 ГГц. Векторный фазовращатель содержит автивный симметрирующий трансформатор, формирующий дифференциальный сигнал, а также полифазный фильтр, формирующий квадратурные сигналы, аналоговый дифференциальный сумматор, ЦАП и драйвер управления. ИМС предназначена для использования в составе приемо-передающих модулей Х-диапазона.
Технические характеристики: диапазон частот 8-12 ГГц; разрядность 6 бит; диапазон перестройки фазы 360 градусов; коэффициент передачи 5±1 дБ, коэффициент отражения по входу не менее -15 дБ; коэффициент отражения по выходу не менее -10 дБ; фазовая ошибка не более 1 град. Размеры кристалла 1,45×0,98 мм^2.
Топология ИМС создана при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ. Уникальный идентификатор работы 8.3423.2017/4.6.
Монолитная интегральная схема SIGE BICMOS двойного балансного субгармонического смесителя К-диапазона со встроенным усилителем гетеродина и полифазным фильтром
Коколов А.А., Помазанов А.В., Досанов А.М., Бабак Л.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630214 от 12.11.2019.
Заявка № 2019630187 от 04.10.2019.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является двойным балансным субгармоническим смесителем на основе ячейки Гильберта, работающим в диапазоне частот 18-25 ГГц. ИМС содержит симметрирущие трансформаторы по входу гетеродина и ВЧ, а также буферные усилители сигнала гетеродина и полифазный фильтр. Выход сигнала ПЧ дифференциальный.
Технические характеристики: диапазон частот ВЧ 18-25 ГГц; диапазон частот ПЧ 2-4 ГГц; диапазон частот гетеродина 7-10,5 ГГц; мощность гетеродина -10 дБм, коэффициент преобразования не менее -5 дБ; коэффициент отражения по ВЧ не более -12 дБ; коэффициент отражения по ПЧ не более -12 дБ; входная мощность при сжатии коэффициента передачи на 1 дБ составляет не менее -6 дБм; напряжение питания ИМС 3,3 В; ток потребления 64 мА. Размеры кристалла 1,31×0,95 мм^2.
Топология ИМС создана при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ. Уникальный идентификатор работы 8.3423.2017/4.6.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630214 от 12.11.2019.
Заявка № 2019630187 от 04.10.2019.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является двойным балансным субгармоническим смесителем на основе ячейки Гильберта, работающим в диапазоне частот 18-25 ГГц. ИМС содержит симметрирущие трансформаторы по входу гетеродина и ВЧ, а также буферные усилители сигнала гетеродина и полифазный фильтр. Выход сигнала ПЧ дифференциальный.
Технические характеристики: диапазон частот ВЧ 18-25 ГГц; диапазон частот ПЧ 2-4 ГГц; диапазон частот гетеродина 7-10,5 ГГц; мощность гетеродина -10 дБм, коэффициент преобразования не менее -5 дБ; коэффициент отражения по ВЧ не более -12 дБ; коэффициент отражения по ПЧ не более -12 дБ; входная мощность при сжатии коэффициента передачи на 1 дБ составляет не менее -6 дБм; напряжение питания ИМС 3,3 В; ток потребления 64 мА. Размеры кристалла 1,31×0,95 мм^2.
Топология ИМС создана при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ. Уникальный идентификатор работы 8.3423.2017/4.6.
Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS оптоэлектронного приемника диапазона DC-20 ГГц со встроенным трансимпедансным усилителем с дифференциальным выходом и компенсацией постоянной составляющей
Коряковцев А, Коколов А.А., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И., Конкин Д.А.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630215 от 12.11.2019.
Заявка № 2019630190 от 04.10.2019.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является широкополосным однокристальным интегральным оптическим приёмником с диапазоном частот до 20 ГГц. Приёмник содержит светочувствительную решётку, оптический волновод, фотодиод и трехкаскадный трансимпедансный усилитель, цепь активной обратной связи для компенсации постоянной составляющей, схемы активного питания и корректирующие цепи. ИМС предназначена для использования в составе радиофотонных приемных модулей.
Технические характеристики: диапазон частот DC-20 ГГц; коэффициент усиления ТИУ 23±2 дБ, коэффициент трансимпедансного усиления 60±3 дБΩ; коэффициент отражения по выходу -15…-20 дБ; уровень выходной мощности по P1дБ не менее -5 дБм; напряжение смещения транзисторов +2,5 В. и +3,3 В; напряжение смещения для фотодиода 1 В, ток потребления 50 мА. Размеры кристалла 1,46×0,85 мм^2.
Топология ИМС создана при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ. Уникальный идентификатор работы 8.4029.2017/4.6.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630215 от 12.11.2019.
Заявка № 2019630190 от 04.10.2019.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является широкополосным однокристальным интегральным оптическим приёмником с диапазоном частот до 20 ГГц. Приёмник содержит светочувствительную решётку, оптический волновод, фотодиод и трехкаскадный трансимпедансный усилитель, цепь активной обратной связи для компенсации постоянной составляющей, схемы активного питания и корректирующие цепи. ИМС предназначена для использования в составе радиофотонных приемных модулей.
Технические характеристики: диапазон частот DC-20 ГГц; коэффициент усиления ТИУ 23±2 дБ, коэффициент трансимпедансного усиления 60±3 дБΩ; коэффициент отражения по выходу -15…-20 дБ; уровень выходной мощности по P1дБ не менее -5 дБм; напряжение смещения транзисторов +2,5 В. и +3,3 В; напряжение смещения для фотодиода 1 В, ток потребления 50 мА. Размеры кристалла 1,46×0,85 мм^2.
Топология ИМС создана при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ. Уникальный идентификатор работы 8.4029.2017/4.6.
Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS двухкаскадного малошумящего усилителя диапазона 18-25 ГГц
Коколов А.А., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И., Шутов Е.А.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630216 от 12.11.2019.
Заявка № 2019630188 от 04.10.2019.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является малошумящим усилителем, работающим в диапазоне частот 18-25 ГГц. Усилитель содержит 2 усилительных каскада на основе биполярных транзисторов, цепь активного смещения и корректирующе-согласующие цепи. ИМС предназначена для использования в составе приемо-передающих модулей К-диапазона.
Технические характеристики: диапазон частот 18-25 ГГц; коэффициент усиления 20±0,7 дБ; коэффициент шума менее 3,7 дБ коэффициент отражения по входу -8 дБ; коэффициент отражения по входу не менее -7 дБ; коэффициент отражения по выходу не менее -10 дБ; уровень выходной мощности по P1дБ не менее 5 дБм; напряжение питания +3,3 В; ток потребления 24 мА. Размеры кристалла 0,9×0,85 мм^2.
Топология ИМС создана при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ. Уникальный идентификатор работы 8.3423.2017/4.6.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630216 от 12.11.2019.
Заявка № 2019630188 от 04.10.2019.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является малошумящим усилителем, работающим в диапазоне частот 18-25 ГГц. Усилитель содержит 2 усилительных каскада на основе биполярных транзисторов, цепь активного смещения и корректирующе-согласующие цепи. ИМС предназначена для использования в составе приемо-передающих модулей К-диапазона.
Технические характеристики: диапазон частот 18-25 ГГц; коэффициент усиления 20±0,7 дБ; коэффициент шума менее 3,7 дБ коэффициент отражения по входу -8 дБ; коэффициент отражения по входу не менее -7 дБ; коэффициент отражения по выходу не менее -10 дБ; уровень выходной мощности по P1дБ не менее 5 дБм; напряжение питания +3,3 В; ток потребления 24 мА. Размеры кристалла 0,9×0,85 мм^2.
Топология ИМС создана при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ. Уникальный идентификатор работы 8.3423.2017/4.6.
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА SIGE BICMOS ТРАНСИМПЕДАНСНОГО УСИЛИТЕЛЯ ДИАПАЗОНА DC-20 ГГЦ С ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫМ ВЫХОДОМ И КОМПЕНСАЦИЕЙ ПОСТОЯННОЙ СОСТАВЛЯЮЩЕЙ
Коряковцев А., Коколов А.А., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2018630181 от 30.10.2018.
Заявка № 2018630172 от 27.09.2018.
Интегральная микросхема представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально интегральная микросхема является широкополосным трансимпедансным усилителем (ТИУ) с диапазоном частот до 20 ГГц. ТИУ содержит три усилительных каскада, цепь активной обратной связи для компенсации постоянной составляющей, схемы активного питания и корректирующие цепи. Интегральная микросхема предназначена для использования в составе радиофотонных приемных модулей. Технические характеристики: диапазон частот DC-20 ГГц; коэффициент усиления 25±2 дБ, коэффициент трансимпедансного усиления 60±3 дБГ2; коэффициент отражения по выходу -6...-10 дБ; уровень выходной мощности по Р1дБ не менее -5 дБм; напряжение смещения транзисторов +2,5 В и +3,3 В; ток потребления 60 мА. Размеры кристалла 0,7x0,6 мм^2.
Топология интегральной микросхемы RU 2018630181 от 30.10.2018.
Заявка № 2018630172 от 27.09.2018.
Интегральная микросхема представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально интегральная микросхема является широкополосным трансимпедансным усилителем (ТИУ) с диапазоном частот до 20 ГГц. ТИУ содержит три усилительных каскада, цепь активной обратной связи для компенсации постоянной составляющей, схемы активного питания и корректирующие цепи. Интегральная микросхема предназначена для использования в составе радиофотонных приемных модулей. Технические характеристики: диапазон частот DC-20 ГГц; коэффициент усиления 25±2 дБ, коэффициент трансимпедансного усиления 60±3 дБГ2; коэффициент отражения по выходу -6...-10 дБ; уровень выходной мощности по Р1дБ не менее -5 дБм; напряжение смещения транзисторов +2,5 В и +3,3 В; ток потребления 60 мА. Размеры кристалла 0,7x0,6 мм^2.
Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS формирователя квадратурных сигналов Х-диапазона
Помазанов А.В., Коряковцев А., Коколов А.А., Шеерман Ф.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2018630182 от 30.10.2018.
Заявка № 2018630170 от 27.09.2018.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является четырехканальным квадратурным делителем мощности, работающим в диапазоне частот 8-12 ГГц. Формирователь квадратурных сигналов содержит симметрирующий трансформатор на основе моста Маршанда, формирующего дифференциальный сигнал, а также полифазного фильтра, формирующего квадратурные сигналы. ИМС предназначена для использования в составе приемо-передающих модулей Х-диапазона.
Технические характеристики: диапазон частот 8-12 ГГц; коэффициент передачи -15±1 дБ, коэффициент отражения по входу не менее -10 дБ; коэффициент отражения по выходу не менее -10 дБ; фазовая ошибка не более 5 град. Размеры кристалла 0,6×0,75 мм^2.
Топология интегральной микросхемы RU 2018630182 от 30.10.2018.
Заявка № 2018630170 от 27.09.2018.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является четырехканальным квадратурным делителем мощности, работающим в диапазоне частот 8-12 ГГц. Формирователь квадратурных сигналов содержит симметрирующий трансформатор на основе моста Маршанда, формирующего дифференциальный сигнал, а также полифазного фильтра, формирующего квадратурные сигналы. ИМС предназначена для использования в составе приемо-передающих модулей Х-диапазона.
Технические характеристики: диапазон частот 8-12 ГГц; коэффициент передачи -15±1 дБ, коэффициент отражения по входу не менее -10 дБ; коэффициент отражения по выходу не менее -10 дБ; фазовая ошибка не более 5 град. Размеры кристалла 0,6×0,75 мм^2.
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА SIGE BICMOS ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ ПО СХЕМЕ ЧЕРРИ-ХУПЕРА ДИАПАЗОНА DC-20 ГГЦ
Коколов А.А., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2018630184 от 30.10.2018.
Заявка № 2018630171 от 27.09.2018.
Интегральная микросхема представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально интегральная микросхема является дифференциальным широкополосным буферным усилителем, выполненным по схеме Черри-Хупера, с диапазоном частот до 20 ГГц. Усилитель содержит два усилительных каскада, цепь активной обратной связи и корректирующие индуктивности. Интегральная микросхема предназначена для использования в составе широкополосных приемо-передающих модулей. Технические характеристики: диапазон частот DC-20 ГГц; коэффициент усиления 19±1 дБ, коэффициент отражения по входу -25...-10 дБ; коэффициент отражения по выходу не менее -15 дБ; уровень выходной мощности по Р1дБ не менее -2 дБм; коэффициент шума не менее 7 дБ; напряжение питания +3,3 В; ток потребления 25 мА. Размеры кристалла 0,6x0,75 мм^2.
Топология интегральной микросхемы RU 2018630184 от 30.10.2018.
Заявка № 2018630171 от 27.09.2018.
Интегральная микросхема представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально интегральная микросхема является дифференциальным широкополосным буферным усилителем, выполненным по схеме Черри-Хупера, с диапазоном частот до 20 ГГц. Усилитель содержит два усилительных каскада, цепь активной обратной связи и корректирующие индуктивности. Интегральная микросхема предназначена для использования в составе широкополосных приемо-передающих модулей. Технические характеристики: диапазон частот DC-20 ГГц; коэффициент усиления 19±1 дБ, коэффициент отражения по входу -25...-10 дБ; коэффициент отражения по выходу не менее -15 дБ; уровень выходной мощности по Р1дБ не менее -2 дБм; коэффициент шума не менее 7 дБ; напряжение питания +3,3 В; ток потребления 25 мА. Размеры кристалла 0,6x0,75 мм^2.
Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS дифференциального буферного усилителя Х-диапазона
Помазанов А.В., Коколов А.А., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2018630185 от 30.10.2018.
Заявка № 2018630169 от 27.09.2018.
Интегральная микросхема представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально интегральная микросхема является дифференциальным буферным усилителем, работающим в диапазоне частот 8-12 ГГц. Усилитель содержит усилительный каскад на основе каскодного соединения транзисторов, цепь активного смещения и корректирующе-согласующие цепи. Интегральная микросхема предназначена для использования в составе приемо-передающих модулей Х-диапазона. Технические характеристики: диапазон частот 8-12 ГГц; коэффициент усиления 10±1 дБ, коэффициент отражения по входу -8 дБ; коэффициент отражения по выходу не менее -10дБ; уровень выходной мощности по Р1дБ не менее 6 дБм; напряжение питания+3,3 В; ток потребления15 мА. Размеры кристалла 0,7x0,8 мм^2
Топология интегральной микросхемы RU 2018630185 от 30.10.2018.
Заявка № 2018630169 от 27.09.2018.
Интегральная микросхема представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально интегральная микросхема является дифференциальным буферным усилителем, работающим в диапазоне частот 8-12 ГГц. Усилитель содержит усилительный каскад на основе каскодного соединения транзисторов, цепь активного смещения и корректирующе-согласующие цепи. Интегральная микросхема предназначена для использования в составе приемо-передающих модулей Х-диапазона. Технические характеристики: диапазон частот 8-12 ГГц; коэффициент усиления 10±1 дБ, коэффициент отражения по входу -8 дБ; коэффициент отражения по выходу не менее -10дБ; уровень выходной мощности по Р1дБ не менее 6 дБм; напряжение питания+3,3 В; ток потребления15 мА. Размеры кристалла 0,7x0,8 мм^2
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА SIGE BICMOS ДВОЙНОГО БАЛАНСНОГО СМЕСИТЕЛЯ ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ 1-4,5 ГГЦ
Коколов А.А., Сальников А.С., Бабак Л.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630016 от 16.01.2017.
Заявка № 2016630120 от 31.10.2016.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является двойным балансным смесителем с диапазонами частот по ВЧ 1-4,5 ГГц и ПЧ 0-500 МГц. Интегральный смеситель содержит в своем составе симметрирующие трансформаторы по входам ВЧ и гетеродина, выход ПЧ дифференциальный. ИМС предназначена для использования в составе приемопередающих СВЧ модулей. Размеры кристалла 1,7х0,6 мм^2.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630016 от 16.01.2017.
Заявка № 2016630120 от 31.10.2016.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является двойным балансным смесителем с диапазонами частот по ВЧ 1-4,5 ГГц и ПЧ 0-500 МГц. Интегральный смеситель содержит в своем составе симметрирующие трансформаторы по входам ВЧ и гетеродина, выход ПЧ дифференциальный. ИМС предназначена для использования в составе приемопередающих СВЧ модулей. Размеры кристалла 1,7х0,6 мм^2.
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА SIGE BICMOS УПРАВЛЯЕМОГО ЦИФРОВОГО АТТЕНЮАТОРА ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ 0,1-4,5 ГГЦ
Добуш И.М., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630017 от 16.01.2017.
Заявка № 2016630119 от 31.10.2016.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является пятиразрядным цифровым аттенюатором с полосой рабочих частот 0,1-4,5 ГГц. Интегральный аттенюатор содержит пять секций ослабления 1 дБ, 2 дБ, 4 дБ, 8 дБ, 16 дБ и цепи компенсации фазовой конверсии. ИМС предназначена для использования в составе приемопередающих СВЧ модулей. Размеры кристалла 1,4x0,6 мм^2.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630017 от 16.01.2017.
Заявка № 2016630119 от 31.10.2016.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является пятиразрядным цифровым аттенюатором с полосой рабочих частот 0,1-4,5 ГГц. Интегральный аттенюатор содержит пять секций ослабления 1 дБ, 2 дБ, 4 дБ, 8 дБ, 16 дБ и цепи компенсации фазовой конверсии. ИМС предназначена для использования в составе приемопередающих СВЧ модулей. Размеры кристалла 1,4x0,6 мм^2.
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА SIGE BICMOS СВЕРХШИРОКОПОЛОСНОГО МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ 1-4,5 ГГЦ
Черкашин М.В., Сальников А.С., Бабак Л.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630031 от 26.01.2017.
Заявка № 2016630121 от 31.10.2016.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является двухкаскадным малошумящим усилителем с полосой рабочих частот 1-4,5 ГГц. Усилительный каскад содержит цепи последовательной и параллельной обратной связи, которые позволяют сблизить условия согласования по шуму и сигналу, повысить устойчивость каскада и провести выравнивания коэффициента усиления. ИМС предназначена для использования в составе приемопередающих СВЧ модулей. Технические характеристики: полоса частот 1-4,5 ГГц, коэффициент усиления 15±0,7 дБ, модули входного и выходного коэффициентов отражения -8дБ и -13 дБ, коэффициент шума 5,7 дБ, выходная мощность составляет -1,3 дБм при сжатии коэффициента усиления на 1 дБ. Ток потребления 30 мА при напряжении питания +5 В. Размеры кристалла 1x0,5 мм^2.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630031 от 26.01.2017.
Заявка № 2016630121 от 31.10.2016.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является двухкаскадным малошумящим усилителем с полосой рабочих частот 1-4,5 ГГц. Усилительный каскад содержит цепи последовательной и параллельной обратной связи, которые позволяют сблизить условия согласования по шуму и сигналу, повысить устойчивость каскада и провести выравнивания коэффициента усиления. ИМС предназначена для использования в составе приемопередающих СВЧ модулей. Технические характеристики: полоса частот 1-4,5 ГГц, коэффициент усиления 15±0,7 дБ, модули входного и выходного коэффициентов отражения -8дБ и -13 дБ, коэффициент шума 5,7 дБ, выходная мощность составляет -1,3 дБм при сжатии коэффициента усиления на 1 дБ. Ток потребления 30 мА при напряжении питания +5 В. Размеры кристалла 1x0,5 мм^2.
Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS двойного балансного смесителя диапазона частот 1,5-4,5 ГГц
Коколов А.А., Шеерман Ф.И., Сальников А.С.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630095 от 13.06.2017.
Заявка № 2017630030 от 24.04.2017.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является двойным балансным смесителем с диапазонами частот по ВЧ 1,5-4,5 ГГц и ПЧ 50-500 МГц. Интегральный смеситель содержит в своем составе симметрирующие трансформаторы по входам ВЧ и гетеродина, выход ПЧ дифференциальный. ИМС предназначена для использования в составе приемопередающих СВЧ модулей.
Технические характеристики: диапазон частот ВЧ 1,5-4,5 ГГц; диапазон частот ПЧ 50-500 МГц; мощность гетеродина 13-15 дБм, коэффициент преобразования не менее -9,5 дБ; коэффициент отражения по ВЧ -8 дБ; коэффициент отражения по ПЧ не менее -12 дБ; выходная мощность составляет не менее +8 дБм при сжатии коэффициента передачи на 1 дБ; напряжение смещения транзисторов 0,6 В. Размеры кристалла 2,2×0,84 мм^2.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630095 от 13.06.2017.
Заявка № 2017630030 от 24.04.2017.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является двойным балансным смесителем с диапазонами частот по ВЧ 1,5-4,5 ГГц и ПЧ 50-500 МГц. Интегральный смеситель содержит в своем составе симметрирующие трансформаторы по входам ВЧ и гетеродина, выход ПЧ дифференциальный. ИМС предназначена для использования в составе приемопередающих СВЧ модулей.
Технические характеристики: диапазон частот ВЧ 1,5-4,5 ГГц; диапазон частот ПЧ 50-500 МГц; мощность гетеродина 13-15 дБм, коэффициент преобразования не менее -9,5 дБ; коэффициент отражения по ВЧ -8 дБ; коэффициент отражения по ПЧ не менее -12 дБ; выходная мощность составляет не менее +8 дБм при сжатии коэффициента передачи на 1 дБ; напряжение смещения транзисторов 0,6 В. Размеры кристалла 2,2×0,84 мм^2.
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА SIGE BICMOS УСИЛИТЕЛЯ ПРОМЕЖУТОЧНОЙ ЧАСТОТЫ ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ 50-500 МГЦ
Черкашин М.В., Сальников А.С., Бабак Л.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630096 от 13.06.2017.
Заявка № 2017630029 от 24.04.2017.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является усилителем промежуточной частоты (УПЧ) с полосой рабочих частот 50-500 МГц. УПЧ содержит два дифференциальных каскада, для повышения стабильности ток покоя первого и второго каскада задается при помощи токовых зеркал. ИМС предназначена для использования в составе приемопередающих СВЧ модулей. Размеры кристалла 0,41х0,68 мм^2.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630096 от 13.06.2017.
Заявка № 2017630029 от 24.04.2017.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является усилителем промежуточной частоты (УПЧ) с полосой рабочих частот 50-500 МГц. УПЧ содержит два дифференциальных каскада, для повышения стабильности ток покоя первого и второго каскада задается при помощи токовых зеркал. ИМС предназначена для использования в составе приемопередающих СВЧ модулей. Размеры кристалла 0,41х0,68 мм^2.
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА CMOS ШИРОКОПОЛОСНОГО БУФЕРНОГО УСИЛИТЕЛЯ ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ 1-5 ГГЦ
Добуш И.М., Жабин Д.А., Бабак Л.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630097 от 13.06.2017.
Заявка № 2017630027 от 24.04.2017.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является сверхширокополосным буферным усилителем (БУ) с полосой рабочих частот 1-5 ГГц. БУ содержит два усилительных каскада, дроссели питания и разделительные конденсаторы размещены на кристалле. ИМС предназначена для использования в составе приемопередающих СВЧ модулей. Размеры кристалла 1,8x1,0 мм^2.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630097 от 13.06.2017.
Заявка № 2017630027 от 24.04.2017.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является сверхширокополосным буферным усилителем (БУ) с полосой рабочих частот 1-5 ГГц. БУ содержит два усилительных каскада, дроссели питания и разделительные конденсаторы размещены на кристалле. ИМС предназначена для использования в составе приемопередающих СВЧ модулей. Размеры кристалла 1,8x1,0 мм^2.
Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS дифференциального широкополосного буферного усилителя диапазона частот 1,5-5 ГГц
Коколов А.А., Шеерман Ф.И., Жабин Д.А.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630099 от 21.06.2017.
Заявка № 2017630028 от 24.04.2017.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является дифференциальным широкополосным буферным усилителем (БУ) с полосой рабочих частот 1,5-5 ГГц. Каждое плечо БУ выполнено на основе каскодного включения транзисторов с отрицательной обратной связью. ИМС предназначена для использования в составе приемопередающих СВЧ модулей.
Технические характеристики: полоса частот 1,5-5 ГГц, коэффициент усиления 15,5±0,5 дБ; коэффициент отражения по входу не более -10 дБ; коэффициент отражения по выходу не более -6 дБ; уровень выходной мощности по P1дБ в каждом плече не менее 15 дБм. Ток потребления 100 мА при напряжении питания +5 В. Размеры кристалла 1,3×0,9 мм^2.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630099 от 21.06.2017.
Заявка № 2017630028 от 24.04.2017.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является дифференциальным широкополосным буферным усилителем (БУ) с полосой рабочих частот 1,5-5 ГГц. Каждое плечо БУ выполнено на основе каскодного включения транзисторов с отрицательной обратной связью. ИМС предназначена для использования в составе приемопередающих СВЧ модулей.
Технические характеристики: полоса частот 1,5-5 ГГц, коэффициент усиления 15,5±0,5 дБ; коэффициент отражения по входу не более -10 дБ; коэффициент отражения по выходу не более -6 дБ; уровень выходной мощности по P1дБ в каждом плече не менее 15 дБм. Ток потребления 100 мА при напряжении питания +5 В. Размеры кристалла 1,3×0,9 мм^2.
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА SIGE BICMOS ЯЧЕЙКИ ДРАЙВЕРА ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКОГО МОДУЛЯТОРА MАХА-ЦЕНДЕРА С ПОЛОСОЙ ЧАСТОТ ДО 20 ГГЦ
Бабак Л.И., Конкин Д.А., Коколов А.А.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630166 от 28.11.2017.
Заявка № 2017630115 от 11.10.2017.
ИМС представляет собой монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является широкополосным усилителем мощности с диапазоном частот до 20 ГГц. Драйвер содержит два усилительных каскада с коррекцией частотных характеристик в области верхних частот и схемой сложения выходной мощности. ИМС предназначена для использования в составе радиофотонных передающих модулей. Размеры кристалла 0,4x0,38 мм^2.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630166 от 28.11.2017.
Заявка № 2017630115 от 11.10.2017.
ИМС представляет собой монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является широкополосным усилителем мощности с диапазоном частот до 20 ГГц. Драйвер содержит два усилительных каскада с коррекцией частотных характеристик в области верхних частот и схемой сложения выходной мощности. ИМС предназначена для использования в составе радиофотонных передающих модулей. Размеры кристалла 0,4x0,38 мм^2.
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА SIGE BICMOS СУБГАРМОНИЧЕСКОГО СМЕСИТЕЛЯ ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ 18-25 ГГЦ
Бабак Л.И., Бидненко Ю.Н., Помазанов А.В.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630167 от 28.11.2017.
Заявка № 2017630116 от 11.10.2017.
Функционально МИС является субгармоническим смесителем на ячейке Гильберта с диапазонами частот по ВЧ 18-25 ГГц и ПЧ 2-4 ГГц. МИС содержит в своем составе симметрирующие трансформаторы по входу гетеродина и выходу ПЧ. МИС предназначена для использования в составе приемных модулей Кu-диапазона. Размеры кристалла 0,866x1,501 мм^2. Интегральная микросхема выполнена на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630167 от 28.11.2017.
Заявка № 2017630116 от 11.10.2017.
Функционально МИС является субгармоническим смесителем на ячейке Гильберта с диапазонами частот по ВЧ 18-25 ГГц и ПЧ 2-4 ГГц. МИС содержит в своем составе симметрирующие трансформаторы по входу гетеродина и выходу ПЧ. МИС предназначена для использования в составе приемных модулей Кu-диапазона. Размеры кристалла 0,866x1,501 мм^2. Интегральная микросхема выполнена на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии.
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА SIGE BICMOS МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ 18-25 ГГЦ
Бабак Л.И., Бидненко Ю.Н., Шеерман Ф.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630168 от 28.11.2017.
Заявка № 2017630107 от 11.10.2017.
Функционально МИС является широкополосным усилителем напряжения. МИС содержит два усилительных каскада, согласующие цепи и цепи стабилизации. МИС предназначена для использования в составе приемных модулей Ки-диапазона. Размеры кристалла 0,52x0,92 мм^2. Интегральная микросхема выполнена на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630168 от 28.11.2017.
Заявка № 2017630107 от 11.10.2017.
Функционально МИС является широкополосным усилителем напряжения. МИС содержит два усилительных каскада, согласующие цепи и цепи стабилизации. МИС предназначена для использования в составе приемных модулей Ки-диапазона. Размеры кристалла 0,52x0,92 мм^2. Интегральная микросхема выполнена на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии.
УНИВЕРСАЛЬНАЯ SIGE BICMOS МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ПРИЕМНО-ПЕРЕДАЮЩЕГО ТРАКТА ДИАПАЗОНА 1-4,5 ГГЦ
Бабак Л.И., Шеерман Ф.И., Коколов А.А., Черкашин М.В., Светличный Ю.А.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630186 от 07.12.2017.
Заявка № 2017630126 от 11.10.2017.
Микроэлектронное изделие представляет собой SiGe монолитную интегральную схему (МИС), выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально МИС является универсальной приемопередающей схемой диапазона 1-4,5 ГГц. МИС содержит в своем составе аттенюатор с цифровым управлением, буферный усилитель, смеситель, усилитель сигнала гетеродина, усилитель промежуточной частоты. МИС предназначена для использования в составе приемопередающих модулей L-, S- и С-диапазонов.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630186 от 07.12.2017.
Заявка № 2017630126 от 11.10.2017.
Микроэлектронное изделие представляет собой SiGe монолитную интегральную схему (МИС), выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально МИС является универсальной приемопередающей схемой диапазона 1-4,5 ГГц. МИС содержит в своем составе аттенюатор с цифровым управлением, буферный усилитель, смеситель, усилитель сигнала гетеродина, усилитель промежуточной частоты. МИС предназначена для использования в составе приемопередающих модулей L-, S- и С-диапазонов.
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА SIGE BICMOS ШИРОКОПОЛОСНОГО ТРАНСИМПЕДАНСНОГО УСИЛИТЕЛЯ С ПОЛОСОЙ ЧАСТОТ ДО 20 ГГЦ
Бабак Л.И., Коколов А.А.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630187 от 07.12.2017.
Заявка № 2017630125 от 11.10.2017.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является широкополосным трансимпедансным усилителем (ТИУ) с диапазоном частот до 20 ГГц. ТИУ содержит два усилительных каскада, схемы активного питания и корректирующие индуктивности. ИМС предназначена для использования в составе радиофотонных приемных модулей.
Топология интегральной микросхемы RU 2017630187 от 07.12.2017.
Заявка № 2017630125 от 11.10.2017.
ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является широкополосным трансимпедансным усилителем (ТИУ) с диапазоном частот до 20 ГГц. ТИУ содержит два усилительных каскада, схемы активного питания и корректирующие индуктивности. ИМС предназначена для использования в составе радиофотонных приемных модулей.
Монолитная интегральная микросхема p-HEMT линейного трехкаскадного усилителя диапазона частот 37-40 ГГц
Бабак Л.И., Черкашин М.В., Добуш И.М., Шеерман Ф.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2013630006 от 09.01.2013.
Заявка № 2012630143 от 07.11.2012.
Топология интегральной микросхемы RU 2013630006 от 09.01.2013.
Заявка № 2012630143 от 07.11.2012.
Монолитная интегральная микросхема m-HEMT двухкаскадного копланарного усилителя диапазона частот 37-40 ГГц со сложением мощности четырех транзисторов
Коколов А.А., Бабак Л.И., Сальников А.С., Добуш И.М., Шеерман Ф.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2013630007 от 09.01.2013.
Заявка № 2012630143 от 07.11.2012.
Топология интегральной микросхемы RU 2013630007 от 09.01.2013.
Заявка № 2012630143 от 07.11.2012.
Монолитная интегральная микросхема m-HEMT однокаскадного копланарного усилителя диапазона частот 37-40 ГГц со сложением мощности четырех транзисторов
Добуш И.М., Бабак Л.И., Сальников А.С., Коколов А.А., Шеерман Ф.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2013630016 от 09.01.2013.
Заявка № 2012630156 от 19.11.2012.
Топология интегральной микросхемы RU 2013630016 от 09.01.2013.
Заявка № 2012630156 от 19.11.2012.
Монолитная интегральная микросхема m-HEMT однокаскадного копланарного усилителя Ka диапазона
Бабак Л.И., Дмитриенко К.С., Добуш И.М., Коколов А.А., Сальников А.С., Шеерман Ф.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2012630163 от 19.11.2012.
Заявка № 2012630127 от 02.10.2012.
ИМС представляет собой GaAs монолитную интегральную схему, выполненную на основе отечественной гетероструктурной m-HEMT технологии. Функционально ИМС является однокаскадным копланарным усилителем с полосой рабочих частот 34-38 ГГц. Усилитель построен на основе транзисторов с высокой подвижностью электронов (ВПЭ) с длиной затвора 0,15 мкм, содержит интегрированные цепи согласования и подачи напряжения питания. ИМС предназначена для использования в составе приемо-передающих СВЧ модулей.
Технические характеристики: полоса частот 34-38 ГГц, коэффициент усиления 9,5±0,5 дБ, модули входного и выходного коэффициентов отражения -5..-10 дБ. Выходная мощность составляет +7 дБм при сжатии коэффициента усиления на 1 дБ. Ток потребления около 40 мА при напряжении питания +3,5 В, размеры кристалла 1,8х0,9 мм.
Топология интегральной микросхемы RU 2012630163 от 19.11.2012.
Заявка № 2012630127 от 02.10.2012.
ИМС представляет собой GaAs монолитную интегральную схему, выполненную на основе отечественной гетероструктурной m-HEMT технологии. Функционально ИМС является однокаскадным копланарным усилителем с полосой рабочих частот 34-38 ГГц. Усилитель построен на основе транзисторов с высокой подвижностью электронов (ВПЭ) с длиной затвора 0,15 мкм, содержит интегрированные цепи согласования и подачи напряжения питания. ИМС предназначена для использования в составе приемо-передающих СВЧ модулей.
Технические характеристики: полоса частот 34-38 ГГц, коэффициент усиления 9,5±0,5 дБ, модули входного и выходного коэффициентов отражения -5..-10 дБ. Выходная мощность составляет +7 дБм при сжатии коэффициента усиления на 1 дБ. Ток потребления около 40 мА при напряжении питания +3,5 В, размеры кристалла 1,8х0,9 мм.
Монолитная интегральная микросхема m-HEMT двухкаскадного копланарного усилителя Ka диапазона
Бабак Л.И., Черкашин М.В., Добуш И.М., Коколов А.А., Сальников А.С., Шеерман Ф.И.
Топология интегральной микросхемы RU 2012630164 от 19.11.2012.
Заявка № 2012630128 от 02.10.2012.
ИМС представляет собой GaAs монолитную интегральную схему, выполненную на основе отечественной гетероструктурной m-HEMT технологии. Функционально ИМС является двухкаскадным копланарным усилителем с полосой рабочих частот 34-37,5 ГГц. Усилитель построен на основе транзисторов с высокой подвижностью электронов (ВПЭ) с длиной затвора 0,15 мкм, содержит интегрированные цепи согласования и подачи напряжения питания. ИМС предназначена для использования в составе приемо-передающих СВЧ модулей.
Технические характеристики: полоса частот 34-37,5 ГГц, коэффициент усиления 19,0±1 дБ, модули входного и выходного коэффициентов отражения -5..-12 дБ. Выходная мощность составляет +7 дБм при сжатии коэффициента усиления на 1 дБ. Ток потребления около 75 мА при напряжении питания +3,5 В, размеры кристалла 2,0х1,5 мм.
Топология интегральной микросхемы RU 2012630164 от 19.11.2012.
Заявка № 2012630128 от 02.10.2012.
ИМС представляет собой GaAs монолитную интегральную схему, выполненную на основе отечественной гетероструктурной m-HEMT технологии. Функционально ИМС является двухкаскадным копланарным усилителем с полосой рабочих частот 34-37,5 ГГц. Усилитель построен на основе транзисторов с высокой подвижностью электронов (ВПЭ) с длиной затвора 0,15 мкм, содержит интегрированные цепи согласования и подачи напряжения питания. ИМС предназначена для использования в составе приемо-передающих СВЧ модулей.
Технические характеристики: полоса частот 34-37,5 ГГц, коэффициент усиления 19,0±1 дБ, модули входного и выходного коэффициентов отражения -5..-12 дБ. Выходная мощность составляет +7 дБм при сжатии коэффициента усиления на 1 дБ. Ток потребления около 75 мА при напряжении питания +3,5 В, размеры кристалла 2,0х1,5 мм.
Монолитная интегральная микросхема p-HEMT двухкаскадного усилителя мощности диапазона частот 37-40 ГГц со сложением мощности двух транзисторов
Черкашин М.В., Бабак Л.И., Торхов Н.А., Божков В.Г.
Топология интегральной микросхемы RU 2012630165 от 19.11.2012.
Заявка № 2012630129 от 02.10.2012.
Топология интегральной микросхемы RU 2012630165 от 19.11.2012.
Заявка № 2012630129 от 02.10.2012.