Carrier-induced optical bistability in the silicon micro-ring resonators under continuous wave pumping
Nikitin A.A., Kondrashov A.V., Vitko V.V., Ryabcev I.A., Zaretskaya G.A., Cheplagin N.A., Konkin D.A., Kokolov A.A., Babak L.I., Ustinov, A.B., Kalinikos, B.A. // Optics Communications. 2021. Vol. 480. Article number 126456. P. 1-6
The fractal geometry of tialniau thin film metal system and its sheet resistance (Lateral size effect)
Torkhov N.A., Evstigneev M.P., Kokolov A.A., Babak L.I. // Symmetry. 2021. Vol. 13(12). Article number 2391. P. 1-11.
Influence of the Surface Morphology of the Microwave Microstrip Line on Its Transmission Performance
Torkhov N.A., Kokolov A.A., Babak L.I. // Semiconductors. 2020. Vol. 54(11) P. 1472–1477.
Scattering Into Guided Modes Due to Imperfect Graded-Index Structure in Polymer Optical Fi-bers
Shibelgut A, Konkin D., Litvinov R., Kruglov R., Bunge C.A., // Journal of Lightwave Technology, 2020, No 19523756.
Влияние морфологии поверхности микрополосковой линии СВЧ на её передаточные характеристики
Н.А. Торхов, А.А. Коколов, Бабак Л.И. // Обмен опытом в области создания сверхширокополосных радиоэлектронных систем. Омск, 11 Августа 2020 г. // Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, вып. 11, с. 1238-1243 (квартиль Q3)
Наблюдение нелокальных квантовых состояний на кремниевых поверхностях при комнатной температуре
Н.А. Торхов // Обмен опытом в области создания сверхширокополосных радиоэлектронных систем Омск, 11 Августа 2020 г.
Формирование нелокальных электронных квантовых состояний на поверхности Si{111} при комнатной температуре
Н.А. Торхов // 30th International Crimean Conference: Microwave & Telecommunication Technology (Crimico'2020).
Топологическое моделирование реальных полупроводниковых поверхностей на микронном и наноуровнях
Н.А. Торхов // 30th International Crimean Conference: Microwave & Telecommunication Technology (Crimico'2020).
Kelvin Probe Force Microscopy Study of the Electrostatic System of the Crystal Surface of AuNi/GaN Schottky Diodes
Torkhov, N.A., Novikov, V.A. // Semiconductors, 2020, 54(3)
Influence of the Surface Morphology of the Microwave Microstrip Line on Its Transmission Performance
Torkhov, N.A., Kokolov, A.A., Babak, L.I. Semicon-ductors, 2020. DOI: 10.1134/S1063782620110251
Constructive approach to reduce the influence of temperature on Spring suspension eigenfrequencies
Baranov P., Nesterenko T., Barbin E., Koleda A. Sensor Review. DOI:10.1108/SR-11-2019-0290.R
Экспериментальное исследование интегрального кремниевого буферного усилителя X-диапазона, выполненного на основе отечественной 90 нм КМОП технологии
А.С. Коряковцев, А.В. Помазанов, А.А. Коколов, Е. А. Шутов, Л.И. Бабак, // ЭССУ 2020
Применение генетического алгоритма для калибровки состояний 6-битного векторного фазовращателя X-диапазона с интегрированными корректирующими ЦАП на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии
Е.А. Федоров, Ф.И. Шеерман, А.В. Помазанов, А.А. Коколов // ЭССУ 2020
Разработка и экспериментальное исследование дискретного 6-разрядного фазовращателя Х-диапазона на основе отечественной 90 нм КМОП технологии
А.В. Помазанов, А.С. Коряковцев, А.А. Коколов, Е. А. Шутов, Л.И. Бабак // ЭССУ 2020
Полиномиальная аппроксимация коэффициента передачи и амплитудной характеристики нелинейных СВЧ устройств для автоматизации системных расчетов
Е.А. Федоров, Ф.И. Шеерман // ЭССУ 2020
Разработка и экспериментальное исследование цифрового аттенюатора на основе отечественной 0.09 мкм технологии КМОП
Е. А. Шутов, А. В. Помазанов, А. А. Коколов, Л.И. Бабак // ЭССУ 2020
Разработка прототипа отечественной САПР для проектирования СВЧ-устройств и GaAs/GaN МИС
Д.С. Косов, Ф.И. Шеерман, Л.И. Бабак // Микроэлектроника -2020, Том 13, с.374-377.
Создание отечественной платформы САПР для проектирования СВЧ-устройств и полупроводниковых ИС
Л.И. Бабак, А.А. Коколов // Микроэлектроника -2020, Том 13, с. 377-379.
Тенденции развития радиочастотных КМОП, КНИ и SiGe БиКМОП-технологий ИС для СВЧ-приемопередатчиков
Л.И. Бабак, Г.Я. Красников, П.В. Панасенко, А.А. Коколов, Ф.И.Шеерман // Микроэлектроника -2020, Том 13, с. 396-398.
ИС 6-битного векторного фазовращателя Х-диапазона с интегрированными корректирующими ЦАП на основе 0,25-мкм SiGe БиКМОП-технологии
А.В. Помазанов, Ф.И. Шеерман, А.А. Коколов, Л.И. Бабак // Микроэлектроника -2020, Том 13, с 438-441.
Комплект диаграммообразующих СВЧ ИС для приемо-передающих модулей Х-диапазона с АФАР на основе отечественной 90 нм КМОП технологии
Бабак Л.И. // Микроэлектроника -2020
Qualitative and quantitative control of skin-effect parameters in technological applications of nano- and microsystem microwave technique using fractal geometry methods
Torkhov N.A., Kokolov A.A., Ivonin I.V., Novikov V.A., Kareva K.V. //Current Applied Physics. 2020. Vol. in press. P. 1-14.
1. Microwave Photonic ICs for 25 Gb/s Optical Link Based On SiGe BiCMOS Technology
Kokolov A.A., Konkin D.A., Koryakovtsev A.S., Sheyerman F.I., Babak L.I.
Symmetry 2019. - Vol. 11. - No. 12. Article number 1453. DOI:10.3390/sym11121453.
Symmetry 2019. - Vol. 11. - No. 12. Article number 1453. DOI:10.3390/sym11121453.
2. Интегральные схемы СВЧ широкополосных усилителей в частотных диапазонах от L до Ka на основе CMOS и BiCMOS технологий
Бабак Л.И., Коколов А.А., Шеерман Ф.И., Коряковцев А.С., Конкин Д.А., Добуш И.М., Помазанов А.В., Шутов Е.А., Светличный Ю.A.
Электроника и микроэлектроника СВЧ. - Т.1. - No. 1. - С. 33-38.
Электроника и микроэлектроника СВЧ. - Т.1. - No. 1. - С. 33-38.
3. Broadband MMIC Digital Step Attenuator Based on Silicon-Germanium Technology
Dobush I.M., Sheyerman F.I., Babak L.I. Russian Physics Journal 2019. - Vol. 61. - No.11. - P. 2113-2120. DOI: 10.1007/s11182-019-01644-9.
4. Дифференциальный трансимпедансный усилитель DС-20 ГГц на основе SiGe BiCMOS технологии для интегрального оптического приемника
Коколов А.А., Коряковцев А.С., Бабак Л.И., Шеерман Ф.И., Конкин Д.А., Светличный Ю.A. Электроника и микроэлектроника СВЧ. - Т.1. - No.1. - С. 218-223.
5. On the Application of Schottky Con-tacts in the Microwave, Extremely High Frequency, and THz Ranges
Torkhov N.A., Babak L.I., Kokolov A.A. Semiconductors. - Vol. 53. - No.12. - P.1688-1698. DOI:10.1134/S1063782619160280.
6. Применение диодов Шоттки в СВЧ, КВЧ и терагерцовом частотных диапазонах
Торхов Н.А., Бабак Л.И., Коколов А.А., ФТП 2019. - Т. 53. - No.12. - С. 1697-1707.
7. The Influence of AlGaN/GaN Het-eroepitaxial Structure Fractal Geometry on Size Effects in Microwave Characteris-tics of AlGaN/GaN HEMTs
Torkhov N.A., Kokolov A.A., Babak L.I. Symmetry 2019. - Vol.11. - No.12. Article number 1495. DOI:10.3390/sym11121495.
8. Интегральная схема управляемого цифрового аттенюатора диапазона 0.1–4.5 ГГц на основе технологии кремний–германий
Добуш И.М., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И., Светличный Ю.А. Приборы и техника эксперимента 2019. - No. 2. - С. 39-48. DOI:10.1134/s0032816219020204.
9. Design of integrated optical Receiver DC-20 GHz based on SiGe BiCMOS technology
Koryakovtsev A.S., Kokolov A.A., Pomazanov A.V., Sheyerman F.I., Babak L.I. Dilemas Contemporaneos-Educacion Politica Y Valores. - Vol. 6. - No. 59.
10. Влияние фрактальной геометрии на аномальный скин-эффект в металлических системах
Торхов Н.А., Бабак Л. И., Коколов А. А., Шеерман Ф. И. Крымико_2019
11. A 0.1-4.5 GHz MMIC Controlled Digital Step Attenuator Based on SiGe
Dobush I.M., Sheyerman, F.I., Babak, L.I.; Svetlichnyi, Y.A. Instruments and experimental techniques. - Vol. 62. - No. 2. - P. 175-184. DOI: 10.1134/S0020441219020179.
12. Влияние дополнительных диэлектрических слоев и заземленного экрана на СВЧ характеристики GaAs микросхем и их элементов в 3D-интегрированных модулях
Бабак Л.И., Панасенко П.В., Волосов А.В., Голенева Н.В., Коколов А.А., Черкашин М.В., Шеерман Ф.И. Крым_Форум_Микроэлектроника_2019. - С. 319-324.
13. "Visual" Design of K-band Low-Noise Amplifier Using SiGe BiCMOS Technology
Babak L.I., Kokolov A.A., Cherkashin M.V., Sheyerman F.I. 26th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems, ICECS 2019. DOI: 10.1109/ICECS46596.2019.8964754.
14. CMOS и BiCMOS интегральные схемы широкополосных и сверхширокополосных СВЧ усилителей для частот от DC до 35 ГГц
Бабак Л.И., Коколов А.А., Шеерман Ф.И., Добуш И.М., Коряковцев A.C., Конкин Д.А., Помазанов А.В., Шутов Е.А. Крым_Форум_Микроэлектроника_2019. - С. 315-319.
15. A DC-20 GHz Integrated Linear Photonic Receiver in a 0.25 µm BiCMOS SiGe:C Technology
Koryakovtsev A.S., Kokolov A.A., Konkin D.A., Sheyerman F.I. Dynamics 2019. DOI: 10.1109/Dynamics47113.2019.8944658.
16. Разработка и экспериментальное исследование интегрального оптического приемника на основе 0.25 мкм SiGe БиКМОП технологии для линий передачи со скоростью 25 Гб/с
Коколов А. А., Коряковцев А., Конкин Д. А., Шеерман Ф. И., Жидик Ю. С. ЭССУ 2019. - Т.1. - С.53-56.
17. Design of MMIC subharmonic mixer for k-band receiver based on 0.25 μm SiGe BiCMOS technology
Babak, L.I., Kokolov, A.A., Sheyerman, F.I., Pomazanov, A.V. 2019 International Siberian Conference on Control and Communications, SIBCON 2019. DOI: 10.1109/SIBCON.2019.8729566.
18. Двойной балансный активный субгармонический смеситель К-диапазона на основе 0.25 мкм SiGe БиКМОП технологии
Коколов А. А., Бабак Л. И., Помазанов А. В., Шеерман Ф. И., Кулинич И. В. ЭССУ 2019. - Т.1. - С.60-64.
19. Differential Transimpedance Amplifier for 25 Gb/s Optical Links in a 0.25 um SiGe BiCMOS technology
Kokolov A.A., Koryakovtsev A.S., Sheyerman F.I., Babak L.I. SIBIRCON 2019. DOI: 10.1109/SIBIRCON48586.2019.8958133.
20. Исследование влияния заземленного экрана и дополнительных диэлектрических слоев на СВЧ характеристики микросхем с 3D интеграцией
Голенева Н.В., Бабак Л.И., Панасенко П.В., Волосов А.В., Коколов А.А., Черкашин М.В., Шеерман Ф.И. ЭССУ 2019. - Т.1. - С.56-60.
21. Экспериментальное исследование цифрового перестраиваемого аттенюатора диапазона ча-стот 8-12 ГГц на основе 0,13 мкм КМОП технологии
Шутов Е.А., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И., Коколов А.А. ЭССУ 2019. - Т.1. - С.65-68.
1. Design of Integrated Photonic Receiver with 20 GHz Bandwidth Based on 0.25-um SiGe BiCMOS Technology
Koryakovtsev A.S., Kokolov A.A., Sheyerman F.I., Babak L.I. 2018 IEEE East-West Design and Test Symposium, EWDTS. - No. 8524699. DOI: 10.1109/EWDTS.2018.8524699.
2. Сложно-функциональные блоки широкополосных усилителей радиочастоты для однокристальных приемников L- и S-диапазонов на основе технологии SiGe
Коколов А.А., Добуш И.М., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И., Жабин Д.А., Светличный Ю.А. Наноиндустрия 2018. - No.S(82). - С. 435-437.
3. Automated Synthesis of 1.5-5 GHz SiGe BiCMOS Differential Amplifiers Loaded on Resistive and Complex-Impedance Terminations
Kokolov A.A., Babak L.I., Zhabin D.A., Sheyerman F.I., Drozdov A.V. IEEE International Conference on Electronics Circuits and Systems, ICECS. - No. 8617934. - P. 453-456. DOI: 10.1109/ICECS.2018.8617934.
4. Автоматический синтез СВЧ дифференциальных усилителей на основе генетического алгоритма
Коколов А.А., Бабак Л.И., Жабин Д.А., Шеерман Ф.И. Наноиндустрия 2018. - No.S (82). - С. 438-440.
5. A Compact Model of Planar Schottky Diode with Anode Pin in a Form of Air Bridge with Whisker
Torkhov, N.A., Babak, L.I., Kokolov, A.A. Dynamics 2018. - No. 8601436. DOI: 10.1109/Dynamics.2018.8601436.
6. ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ШИРОКОПОЛОСНОГО УПРАВЛЯЕМОГО ЦИФРОВОГО АТТЕНЮАТОРА НА ОСНОВЕ КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВОЙ ТЕХНОЛОГИИ
Добуш И.М., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И. Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. - Т.61. - No. 11. - С. 149-156.
7. Material Parameters Extraction of Printed Circuits and Sem-iconductor Substrates Using Wideband Reflection Measurements
Savin A.A., Guba V.G., Ladur A.A., Bykova O.N., Shutov E.A., Sheyerman F.I., Walker B. 91st ARFTG Microwave Measurement Conference: Wideband Modulated Test Signals for Network Analysis of Wireless Infrastructure Building Blocks, ARFTG 2018. - No. 8423814. DOI: 10.1109/ARFTG.2018.8423814.
8. Влияние электрического поля периферии на вентильный фото-эффект в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
Торхов Н.А. ФТП 2018. - Vol. 52. No.10. - P. 1150-1171.
9. Impact of the Periphery Electrostatic Field on the Photovoltaic Ef-fect in Metal–Semiconductor Contacts with a Schottky Barrier
Torkhov N.A. Semiconductors 2018. - Vol. 52. -No.10. - P. 1269-1292. DOI: 10.1134/S1063782618100202.
10. Монолитный смеситель диапазона 1–4,5 ГГц со встроенным усилителем гетеродина на основе технологии SiGe BiCMOS
Коколов А.А., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И., Дроздов А.В. ЭССУ 2018. - Т.1. - С.32-35.
11. Проектирование широко-полосного буферного усилителя диапазона 8–12 ГГц на основе 0,13 мкм БиКМОП-технологии
Помазанов А.В., Коряковцев А.С., Шутов Е.А. ЭССУ 2018. - Т.1. - С.36-37.
12. Проектирование цифрово-го перестраиваемого 6-битного аттенюатора диапазона частот 8–12 ГГц на основе 0,13 мкм БиКМОП-технологии
Шутов Е.А., Помазанов А.В., Коряковцев А.С. ЭССУ 2018. - Т.1. - С.38-39.
13. Методика измерения шумов активных смесителей
Убайчин А.В., Жук Г.Г., Алексеев Е.В., Миненко Д.Е., Коколов А.А. ЭССУ 2018. - Т.1. - С.183-186.
14. Особенности измерения относительного уровня второй и третьей гармоник в двухканальных усилителях квадратур сигналов
Алексеев Е.В., Жук Г.Г., Миненко Д.Е., Убайчин А.В., Коколов А.А. ЭССУ 2018. - Т.1. - С.178-179.
15. Проектирование широкополосного буферного усилителя диапазона 8–12 ггц на основе отечественной 90 нм Si-CMOS-технологии
Коряковцев А.С., Помазанов А.В., Коколов А.А. Научная сессия ТУСУР 2018. - Т.1. - С.72-77.
16. Разработка МИС буферного усилителя Х-диапазона на основе отечественной 90 нм CMOS технологии
Бабак Л.И., Волосов А.В., Гусев С.С., Коколов А.А., Коряковцев А.С., Панасенко П.В., Помазанов А.В., Россов А.С., Шеерман Ф.И. Крым_Форум_Микроэлектроника_2019.
17. Разработка микросхем управляющих устройств X-диапазона на основе отечественной 90 нм CMOS технологии
Бабак Л.И., Волосов А.В., Гусев С.С., Досанов А.М., Коколов А.А., Панасенко П.В., Помазанов А.В., Россов А.С., Шеерман Ф.И., Шутов Е.А. Крым_Форум_Микроэлектроника_2019.
18. Разработка и экспериментальное исследование дифференциального трансимпедансного усилителя 0-20 ГГц на основе SiGe BiCMOS технологии
Коколов А.А., Коряковцев А.С., Бабак Л.И., Шеерман Ф.И., Конкин Д.А. Крым_Форум_Микроэлектроника_2019.
19. Автоматизированный синтез линейных и малошумящих СВЧ транзисторных усилителей на основе генетического алгоритма
Бабак Л.И. Крым_Форум_Микроэлектроника_2019.
1. Automated synthesis and measurement of broad-band CMOS buffer amplifier 1–5 GHz
Dobush I. M., Kalentyev A.A., Zhabin D.A., Goryainov A.E., Salnikov A.S., Sheyerman F.I., Garays D.V. 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). DOI: 10.1109/SIBCON.2017.7998526.
2. Автоматизированный синтез принципиальных схем и топологий малошумящих СВЧ-усилителей на основе генетического алгоритма
Жабин Д. А., Добуш И. М., Бабак Л. И., Калентьев А. А. Доклады ТУСУР. - Т. 3. - С. 132-143.
3. Broadband differential 1.5-5 GHz LO buffer amplifier based on SiGe BiCMOS technology
Kokolov A.A., Sheyerman F.I., Babak L.I. SIBCON 2018. - No.7998504. DOI: 10.1109/SIBCON.2017.7998504.
4. Универсальные радиочастотные тракты и широкополосные функциональ-ные узлы для однокристальных приемников L- и S-диапазонов на основе технологии SiGe,
Шеерман Ф.И., Бабак Л.И., Добуш И.М., Коколов А.А., Сальников А.С., Черкашин М.В., Шевляков М.Л., Светличный Ю.А., Григорьев Е.В. Наноиндустрия. No.74. - С. 437-447.
5. Broadband IP-blocks for L- and S-band Receiver SoC Based On 0.25 um SiGe Technology
Sheyerman F.I., DobushI.M., Kokolov A.A., Salnikov A.S., Cherkashin M.V., Babak L.I., Shevlyakov M.L., Svetlichniy Yu. A., Grigoriev E.V., Uimanov S.Yu. Dynamics 2017. - P. 5-8. DOI: 10.1109/Dynamics.2017.8239508.
6. Проектирование высокоэффективного СВЧ усилителя мощ-ности класса F
Коколов А.А. Научная сессия ТУСУР. - С. 282-285.
7. Broadband Double-Balanced SiGe BiCMOS Mixer With Integrated Asymmetric Baluns
Kokolov A.A., Salnikov A. S., Sheyerman F. I., Babak L. I., Shevlyakov M.L. Dynamics 2017. - P.1-4. DOI: 10.1109/Dynamics.2017.8239463.
8. Разработка высокоэффективного СВЧ усилителя мощности класса F диапазона 5.5-5.8 ГГц
Собянин Р.К., Коколов А.А. ЭССУ 2017. - С. 75-78.
9. Design and Simulation of the Inte-grated Optical Components based on 0.25 um SiGe BiCMOS
Konkin D.A., Kokolov A.A., Sheyerman F.I. Dynamics 2017. DOI: 10.1109/Dynamics.2017.8239466.
10. Двойной балансный смеситель диапазона 2-4,5 ГГц на 0,25 мкм БиК-МОП технологии
Коколов А.А., Шеерман Ф.И., Сальников А.С., Шевляков М.Л., Бабак Л.И. 27-я Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. - С. 92-98.
11. Genetic-Algorithm-Based Synthesis of Differential Amplifiers with Complex-Impedance Terminations
Kokolov A.A., Babak L.I., Zhabin D.A., Sheyerman F.I. ARMC2017. - P. 399-401. DOI: 10.1109/APMC.2017.8251464.
12. Усилитель промежуточной частоты на ос-нове CMOS-технологии
Черкашин М.В., Коколов А.А. ЭССУ 2017. - С. 65-67.
13. Automated Synthesis of Low Noise Amplifiers Using S-parameter Sets of Passive Elements
Zhabin D.A., Garays D.V., Kalentyev A.A., Dobush I.M., Babak L.I., Kokolov A. A. ARMC 2017. - P. 1262-1264. DOI: 10.1109/APMC.2017.8251690.
1. Nature of size effects in compact models of field ef-fect transistors
Torkhov N. A., Babak L. I., Kokolov A. A., Salnikov A. S., Dobush I. M., Novikov V. A., Ivonin I. V. Journal Of Applied Physic. - Vol. 119. No. 9. DOI: 10.1063/1.4942617.
2. Разработка МИС сверхширокополосного малошумящего усилителя диапазона 3-20 ГГц на основе генетического алгоритма
Калентьев А.А., Добуш И.М., Гарайс Д.В., Горяинов А.Е., Бабак Л.И. VI всероссийская конференция «Обмен опытом в области создания сверхширокополосных РЭС» «СВЧ-2016».
3. Methodology of built and verification of non-linear EEHEMT model for GaN HEMT transistor
Kokolov A.A., Babak L.I. Radioelectronics and Communications Systems. - Vol. 58. No.10. - P. 435-443. DOI: 10.3103/S0735272715100015.
4. Разработка СВЧ монолитных интегральных схем, библиотек элементов и модулей САПР в Томском университете систем управления и радиоэлек-троники
Бабак Л.И., Черкашин М.В., Шеерман Ф.И., Добуш И.М., Коколов А.А., Сальников А.С., Калентьев А.А., Гарайс Д.В., Горяинов А.Е., Жабин Д.А. VI всероссийская конференция «Обмен опытом в области созда-ния сверхширокополосных РЭС» «СВЧ-2016».
5. A 1-4.5 GHz MMIC Mixer Based On SiGe BiCMOS Technology
Kokolov A.A., Salnikov A. S., Scheyerman F.I., Schevlyakov M.L., Babak L.I. XIII Международная научно-техническая конференция, АПЭП 2016.
6. Разработка универсальной МИС управляемого цифрового аттенюатора диапазона 0,1-4,5 ГГц на основе технологии SiGe
Добуш И.М., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И., Сальников А.С., Калентьев А.А., Гарайс Д.В., Собянин Р.К., Светличный Ю.А. VI всероссийская конференция «Обмен опытом в области создания сверхширокополосных РЭС» «СВЧ-2016».
7. Design and Measurement of 0.1 – 4.5 GHz SiGe BiCMOS MMIC Digital Step Attenuator
Dobush I.M., Sheyerman F.I., Babak L.I., SalnikovтA.S., Kalentyev A.A., Garays D.V., Goryainov A.E., Sobyanin R.K. XIII Международная научно-техническая конференция, АПЭП 2016.
8. Мощностные и шумовые характеристики СВЧ AlGaN/GaN HEMT с дополнительным по-левым электродом
Торхов Н.А., Бабак Л.И., Филимонова И.Д., Коколов А.А. Научно-техническая конференция СВЧ Электроника 2016.
9. Проектирование интегральных симметрирующих транс-форматоров для SIGE систем на кристалле
Сальников А.С., Коколов А.А., Шеерман Ф.И., Мусенов Р.Ю., Добуш И.М., Бабак Л.И. X Международная научно-техническая конференция «Динамика систем, механизмов и машин» 2016.
10. Разработка SiGe МИС цифрового аттенюатора диапазона 0,1…4,5 ГГц
Добуш И.М., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И., Сальников А.С., Калентьев А.А., Гарайс Д.В., Собянин Р.К., Светличный Ю.А. Научно-техническая конференция СВЧ Электроника 2016.