На основании измеренных данных нами могут быть разработаны модели пассивных и активных элементов СВЧ интегральных схем, включая нелинейные модели СВЧ транзисторов, а также модели соединительных элементов, измерительной оснастки.
Возможности нашего оборудования позволяют выполнять следующие виды измерений:
Виды измерений | Основные метрологические характеристики |
Вольт-амперные характеристики в непрерывном и импульсном режимах | Диапазон измеряемых токов: 100 фА – 10 А
Диапазон измеряемых напряжений: 100 нВ – 200 В. Минимальная длительность импульса: 50 мкс. |
Параметры рассеяния (S-параметры) на векторном анализаторе цепей в непрерывном режиме | Диапазон частот: 9 кГц–67 ГГц |
Параметры рассеяния в импульсном режиме | Длительность импульса: менее 1 мкс |
Коэффициент шума | Диапазон частот: до 50 ГГц |
Уровень непрерывной СВЧ мощности, уровень мощности при компрессии на 1дБ, спектр сигнала |
Диапазон частот: до 50 ГГц |
Анализ сигналов и быстрых процессов во временной области при помощи осциллографа |
Аналоговая полоса до 13 ГГц (расширяется до 33 ГГц); 128 Гвыб./с |
Испытания в камере Тепло-Холод | Диапазон температур -60… 150 °С |
«Load Pull» измерения мощных транзисторов | Диапазон частот входного трансформатора импедансов: 2-50 ГГц
Диапазон частот выходного трансформатора импедансов: 8-50 ГГц Уровень измеряемой мощности: до 10 Вт. |
«Source Pull» Измерения шумовых параметров малошумящих транзисторов | Диапазон частот входного трансформатора импедансов: 2-50 ГГц
Минимальные измеряемые значения коэффициента шума: до 0,5 дБ |
Измерения и испытания фотонных компонентов на базе Si, InP | Диапазон длин волн лазерного источника: 1527-1570 нм (два канала)
1570-1611 нм (два канала) Измеряемые уровни оптического излучения: до 10-12 Вт |